发布机构: 山西省科技厅重大专项办公室 发布日期: 2018-03-23 09:20:42

我省4H-SiC单晶制备技术取得突破并实现产业化

4H-SiC单晶是目前高性能核心电子元器件研制必需的衬底材料。多年来,中国电子科技集团公司第二研究所通过不断努力创新,解决了4英寸SiC单晶生长设备结构设计、密闭性设计等关键技术,获得自主知识产权的SiC单晶生长设备制造技术,实现了SiC单晶生长设备国产化;通过新型石墨坩埚结构设计、SiC单晶生长SiC籽晶新型固定工艺等技术创新,突破了低微管密度控制技术、低应力控制、晶型控制技术、SiC单晶表面加工等关键技术;将SiC单晶生长工艺与设备结合,获得了SiC单晶生长工艺一致性、高纯粉料自主合成等产业化解决方案。

产业化方面,中国电子科技集团公司第二研究所通过产业化平台建设,新增SiC单晶生产设备40台套,建立了SiC单晶衬底加工生产线和检测线,实现了年产SiC单晶衬底10000片的能力

4H-SiC单晶技术的成功产业化,突破了国外对我国SiC单晶衬底技术的限制,为我国高性能核心电子元器件产业发展提供了有力的保障。
 

[字体:  ]  [关闭窗口]    [打印]